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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
产品信息
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场效应管 MOSFET 双 NP 30V
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晶体管极性:
N和P沟道
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电流, Id 连续:
3.5A
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漏源电压, Vds:
30V
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在电阻RDS(上):
150mohm
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电压 @ Rds测量:
-30V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
2.5V
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功耗, Pd:
2W
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封装类型:
SOP
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针脚数:
8
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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封装/箱盒:
SOP-8
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漏源电压 Vds, N沟道:
30V
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漏源电压 Vds, P沟道:
-30V
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
4V
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电压, Vds 典型值:
30V
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电流, Idm 脉冲:
14A
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表面安装器件:
SMD
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连续漏极电流 Id, N沟道:
3.5A
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连续漏极电流 Id, P沟道:
-3.5A
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通态电阻 Rds(on), N沟道:
0.059ohm
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通态电阻 Rds(on), P沟道:
0.065ohm
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阈值电压, Vgs th 最低:
1V
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阈值电压, Vgs th 最高:
2.5V
产地:
CN
China
询价