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SP8J65TB1|Rohm Semiconductor
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制造商型号: SP8J65TB1
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC
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产品信息
产品相片 8-SOIC
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)29 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)18nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1200pF @ 10V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC N
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