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产品信息
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晶体管 IGBT模块 6晶体管
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晶体管极性:
N沟道
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集电极直流电流:
40A
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饱和电压, Vce sat 最大:
3.3V
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功耗, Pd:
200W
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电压, Vceo:
1.2kV
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工作温度最小值:
-40°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
SEMITRANS 6
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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上升时间:
55ns
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外宽:
105mm
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外部深度:
45mm
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外部长度/高度:
24mm
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安装孔中心距:
93mm
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安装孔直径:
5.5mm
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封装/箱盒:
SEMITRANS 6
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工作温度范围:
-40°C 至 +150°C
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总功率, Ptot:
200W
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晶体管数:
6
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最大连续电流, Ic:
40A
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温度 @ 电流测量:
25°C
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电压, Vces:
1.2kV
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电流, Icm 脉冲:
70A
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表面安装器件:
螺丝
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集电极电流, Ic 平均值:
40A
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集电极连续电流, Ic 最大值:
25A
产地:
DE
Germany
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