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产品信息
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晶体管 IGBT模块 半桥
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晶体管极性:
N沟道
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集电极直流电流:
200A
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饱和电压, Vce sat 最大:
3V
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功耗, Pd:
1.38kW
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电压, Vceo:
1.2kV
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工作温度最小值:
-40°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
SEMITRANS 3
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针脚数:
7
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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上升时间:
100ns
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外宽:
105.4mm
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外部深度:
51.4mm
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外部长度/高度:
30.5mm
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安装孔中心距:
93mm
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安装孔直径:
6.4mm
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封装/箱盒:
SEMITRANS 3
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工作温度范围:
-40°C 至 +150°C
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总功率, Ptot:
1.38kW
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晶体管数:
2
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最大连续电流, Ic:
200A
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温度 @ 电流测量:
25°C
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电压, Vces:
1.2kV
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电流, Icm 脉冲:
400A
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表面安装器件:
螺丝
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集电极电流, Ic 平均值:
200A
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集电极连续电流, Ic 最大值:
180A
产地:
DE
Germany
询价