数据列表 | SKB02N120 |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
IGBT 类型 | NPT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.6V @ 15V,2A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 6.2A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.6A |
功率 - 最大值 | 62W |
Switching Energy | 220µJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 11nC |
Td (on/off) A 25°C | 23ns/260ns |
Test Condition | 800V, 2A, 91 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 50ns |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
其它名称 | SKB02N120ATMA1 SP000012567 |