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产品信息
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晶体管 IGBT模块 双晶体管 1200V
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晶体管极性:
N沟道
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饱和电压, Vce sat 最大:
3V
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功耗, Pd:
850W
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电压, Vceo:
1.2kV
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封装类型:
SEMITOP 2
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD标号:
SEMITOP2
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上升时间:
45ns
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外宽:
40.5mm
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外部深度:
28mm
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安装孔中心距:
38mm
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安装孔直径:
2mm
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封装/箱盒:
SEMITOP 2
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晶体管数:
2
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最大连续电流, Ic:
40A
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温度 @ 电流测量:
25°C
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电压:
1.2kV
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电压, Vces:
1.2kV
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电流, Icm 脉冲:
80A
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集电极电流, Ic 平均值:
40A
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集电极连续电流, Ic 最大值:
27A
产地:
IT
Italy
询价