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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SK115MD10
制造商： SEMIKRON
描述： 场效应管模块 MOSFET 100V
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： SEMIKRON
描述： 场效应管模块 MOSFET 100V
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管模块 MOSFET 100V
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 80A
- 漏源电压, Vds: 75V
- 在电阻RDS（上）: 7.5mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 3.3V
- 工作温度最小值: -40°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SEMITOP 3
- 针脚数: 28
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 外宽: 40.5mm
- 外部深度: 28mm
- 外部长度/高度: 15.43mm
- 安装孔中心距: 38mm
- 安装孔直径: 2mm
- 封装/箱盒: SEMITOP 3
- 工作温度范围: -40°C 至 +150°C
- 晶体管数: 6
- 模块配置: 六
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 80A
- 漏源电压 Vds, N沟道: 100V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 75V
- 电流, Idm 脉冲: 120A
- 芯片封装类型: B
- 表面安装器件: 螺丝
- 连续漏极电流 Id, N沟道: 80A
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.0075ohm
- 阈值电压, Vgs th 最低: 2.5V
询价