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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SK100GD126T
制造商： SEMIKRON
描述： 晶体管 IGBT模块 6单元 114A 1200V 沟槽(Trench)技术
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： SEMIKRON
描述： 晶体管 IGBT模块 6单元 114A 1200V 沟槽(Trench)技术
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 晶体管 IGBT模块 6单元 114A 1200V 沟槽(Trench)技术
- 集电极直流电流: 114A
- 饱和电压, Vce sat 最大: 2.15V
- 电压, Vceo: 1.2kV
- 工作温度最小值: -40°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SEMITOP 4
- 针脚数: 70
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 上升时??: 33ns
- 下降时间: 88ns
- 封装/箱盒: SEMITOP 4
- 工作温度范围: -40°C 至 +150°C
- 最大连续电流, Ic: 114A
- 模块配置: 六
- 电压, Vces: 1.2kV
- 电流, Icm 脉冲: 200A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 结温, Tj 最小值: -40°C
- 表面安装器件: 螺丝
- 饱和电压 Vce sat 典型值: 1.7V
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