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制造商型号: SISI4466DY-E
制造商: Vishay
描述: MOSFET,N沟道,20V,13.5A,2.5Vgs,SOIC8
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间150 ns
典型接通延迟时间20 ns
典型栅极电荷@Vgs40 nC V @ 4.5
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SO-8
尺寸5 x 4 x 1.5mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散3 W
最大栅源电压±12 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.009 Ω
最大连续漏极电流13.5 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、单、三源
长度5mm
高度1.5mm
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