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SIS778DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号： SIS778DN-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:4 mOhms
配置:Single
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
封装:Reel
下降时间:9 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :60 S
栅极电荷 Qg:27.5 nC
功率耗散:52 W
上升时间:12 ns
典型关闭延迟时间:20 ns
零件号别名:SIS778DN-GE3
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