  |
  |
您现在的位置：首页 > SIS406DN-T1-GE
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SIS406DN-T1-GE
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N沟道，30V，9A，PowerPAK，1212-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N沟道，30V，9A，PowerPAK，1212-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18.2 nC V @ 10, 8.4 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1100 pF V @ 15 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.05mm | |
| 封装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 尺寸 | 3.05 x 3.05 x 1.04mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1500 mW | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.011 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 9 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 高度 | 1.04mm |
询价