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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SIR892DP-T1-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N SO-8
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 50A
- 漏源电压, Vds: 25V
- 在电阻RDS（上）: 3.2mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 功耗, Pd: 5W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: PowerPAK SO
- 针脚数: 8
- 上升时间: 18ns
- 功耗, Pd: 50W
- 功耗, Pd: 5W
- 封装/箱盒: PowerPAK
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 漏极电流, Id 最大值: 30A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 25V
- 电压, Vgs 最高: 20V
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 表面安装器件: SMD
- 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
- 阈值电压, Vgs th 最高: 2.6V
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