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SIR866DP-T1-GE3|VISHAY
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SIR866DP-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 单 N沟道 20 V 0.0019 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK-SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:20 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:60 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:20.5 mOhms
配置:Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
封装:Reel
下降时间:49 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :78 S
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:5.4 W
上升时间:23 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:66 ns
零件号别名:SIR866DP-GE3
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