您现在的位置：首页 > SIR642DP-T1-GE3
SIR642DP-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SIR642DP-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:40 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:60 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:2.4 mOhms
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
封装:Reel
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :70 S
栅极电荷 Qg:27.2 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:83 W
系列:TrenchFET
商标名:PowerPAK SO-8
询价
  • *所需产品：
  • *联系人：
  • *联系电话：
  • *电子邮箱：
  • 备注内容：
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ：800152669  电话：400-900-3095