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制造商型号: SIR468DP-T1-GE
制造商: Vishay
描述: MOSFET,N沟道,30V,22.7A,PowerPAK,SO8
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间30 ns
典型接通延迟时间25 ns
典型栅极电荷@Vgs13.8 nC V @ 4.5, 29 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1720 pF V @ 15
安装类型表面贴装
宽度5.89mm
封装类型PowerPAK SO
尺寸5.15 x 5.89 x 1.04mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散5000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.006 Ω
最大连续漏极电流22.7 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、单、三源
长度5.15mm
高度1.04mm
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