您现在的位置:首页 > SIHU5N50D-GE3
SIHU5N50D-GE3|VISHAY SILICONIX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: SIHU5N50D-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 500V 5.3A IPAK
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 500V 5.3A IPAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 5.3A
  • 漏源电压, Vds: 500V
  • 在电阻RDS(上): 1.2ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 104W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-251
  • 针脚数: 3
  • MSL: MSL 1 -无限制
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ:800152669  电话:400-900-3095