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SIHU5N50D-E3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SIHU5N50D-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
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产品信息
数据列表 SIHU5N50D
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5.3A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.5 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)325pF @ 100V
功率 - 最大值104W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装TO-251AA
其它名称SIHU5N50D-E3CT
SIHU5N50D-E3CT-ND
SIHU5N50DE3
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