  |
  |
您现在的位置：首页 > SIHG20N50C-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SIHG20N50C-E3
制造商： VISHAY
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 500V 20A TO247
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 500V 20A TO247
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 500V 20A TO247
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 20A
- 漏源电压, Vds: 500V
- 在电阻RDS（上）: 225mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 功耗, Pd: 292W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: TO-247
- 针脚数: 3
- MSL: (Not Applicable)
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 漏极电流, Id 最大值: 20A
- 电压, Vgs 最高: 30V
询价