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SIHD6N65E-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
SIHD6N65E-GE3
制造商:
Vishay Semiconductors
描述:
MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
650 V
漏极连续电流:
7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
600 mOhms
配置:
Single
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263
封装:
Bulk
下降时间:
20 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :
2 S
栅极电荷 Qg:
48 nC
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
78 W
上升时间:
12 ns
系列:
E
典型关闭延迟时间:
30 ns
询价
*所需产品:
型号: SIHD6N65E-GE3 品牌: Vishay Semiconductors 备注: MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
*联系人:
*联系电话:
*电子邮箱:
备注内容:
电脑版
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