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制造商型号: SIHB30N60E-GE
制造商: Vishay
描述: MOSFET N 沟道 600V 29A D2PAK
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间63 ns
典型接通延迟时间19 ns
典型栅极电荷@Vgs85 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds2600 pF @ 100 V
安装类型表面贴装
宽度9.65mm
封装类型D2PAK
尺寸10.67 x 9.65 x 4.83mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散250 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值0.125 Ω
最大连续漏极电流29 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.67mm
高度4.83mm
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