您现在的位置:首页 > SIHB22N60E-GE
无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: SIHB22N60E-GE
制造商: Vishay
描述: MOSFET N 沟道 600V 21A D2PAK
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间59 ns
典型接通延迟时间18 ns
典型栅极电荷@Vgs57 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds1920 pF @ 100 V
安装类型表面贴装
宽度9.65mm
封装类型D2PAK
尺寸10.67 x 9.65 x 4.83mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散227 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值0.18 Ω
最大连续漏极电流21 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.67mm
高度4.83mm
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ:800152669  电话:400-900-3095