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SIE808DF-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SIE808DF-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK
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产品信息
数据列表 SIE808DF
产品相片 Pkg 5946
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)60A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.6 欧姆 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)155nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)8800pF @ 10V
功率 - 最大值125W
安装类型表面贴装
封装/外壳10-PolarPAK?(L)
供应商器件封装10-PolarPAK?(L)
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