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SIB412DK-T1-E3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SIB412DK-T1-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
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产品信息
数据列表 SIB412DK
产品相片 Pkg 5935
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)9A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)34 毫欧 @ 6.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)10.16nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)535pF @ 10V
功率 - 最大值13W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SC-75-6L
供应商器件封装PowerPAK? SC-75-6L 单
其它名称SIB412DK-T1-E3TR
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