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SIA913DJ-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SIA913DJ-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET P-CH DL 12V PWRPAK SC70-6
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产品信息
数据列表 SIA913DJ
产品相片 Pkg 5934
特色产品 Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)70 毫欧 @ 3.3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)12nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)400pF @ 6V
功率 - 最大值1.9W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SC-70-6 双
供应商器件封装PowerPAK? SC-70-6 双
其它名称SIA913DJ-T1-GE3TR
SIA913DJT1GE3
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