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SIA907EDJT-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号： SIA907EDJT-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 20 V
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:4.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:57 mOhms
配置:Dual
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK SC-70-6L
封装:Reel
下降时间:10 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :11 S
栅极电荷 Qg:15 nC
功率耗散:7.8 W
上升时间:10 ns
典型关闭延迟时间:30 ns
零件号别名:SIA907EDJT-GE3
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