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SIA817EDJ-T1-GE3|Vishay Semiconductors
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制造商型号： SIA817EDJ-T1-GE3
制造商： Vishay Semiconductors
描述： MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 30 V
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:- 4.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:125 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SC-70-6
封装:Reel
下降时间:10 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :9 S
栅极电荷 Qg:6.6 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:6.5 W
上升时间:20 ns
典型关闭延迟时间:23 ns
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