  |
  |
您现在的位置：首页 > SIA447DJ-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SIA447DJ-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 12V PPAK-SC70
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 12V PPAK-SC70
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET P沟道 12V PPAK-SC70
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id 连续: 12A
- 漏源电压, Vds: -12V
- 在电阻RDS（上）: 0.011ohm
- 电压 @ Rds测量: -4.5V
- 功耗, Pd: 19W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: PowerPAK SC70
- 针脚数: 6
- MSL: MSL 1 -无限制
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
询价