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SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A SC-70 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() 查看资料 |
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SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 20V 11.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SIA445EDJ-T1-GE3) RoHS: Not Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Intertechnologies MOSFET P-CH, 20V, SC-70
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![]() | SIA445EDJ-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH 20V SC-70![]() ![]() 查看详细 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A SC-70 详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单 型号:SIA445EDJ-T1-GE3 仓库库存编号:SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND 别名:SIA445EDJ-T1-GE3CT <br> | 无铅 |
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| 制造商零件编号: SIA445EDJ-T1-GE3 品牌: Vishay 库存编号: 787-9285 |
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SIA445EDJ-T1-GE3![]() | 2283656 | VISHAY 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.0135 ohm, -4.5 V, -500 mV ![]() |
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数据列表 | SiA445EDJ |
---|---|
产品相片 | PowerPak SC-70-6 Single |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11.8A (Ta), 12A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 16.5 毫欧 @ 7A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 72nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2130pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 19W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SC-70-6 |
供应商器件封装 | PowerPAK? SC-70-6 单 |
其它名称 | SIA445EDJ-T1-GE3TR SIA445EDJT1GE3 |