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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI9934BDY
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场???应管 MOSFET 双 PP SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场???应管 MOSFET 双 PP SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET 双 PP SO-8
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id 连续: 4.8A
- 漏源电压, Vds: 12V
- 在电阻RDS（上）: 35mohm
- 电压 @ Rds测量: -4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: -1.4V
- 功耗, Pd: 1.1W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOIC
- 针脚数: 8
- 封装/箱盒: SOIC
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 晶体管数: 2
- 栅极电荷 Qg P沟道: 13nC
- 漏极电流, Id 最大值: -4.8A
- 漏源电压 Vds, P沟道: -12V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
- 电压, Vds 典型值: -12V
- 电压, Vgs 最高: -8V
- 电流, Idm 脉冲: 20A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 结温, Tj 最小值: -55°C
- 表面安装器件: SMD
- 连续漏极电流 Id, P沟道: -6.4A
- 通态电阻 @ Vgs = 2.5V: 56mohm
- 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 35mohm
- 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.028ohm
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