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制造商型号: SI9933CDY-T1-GE
制造商: Vishay
描述: MOSFET,P沟道,20V,4A,SOIC8
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间29 ns
典型接通延迟时间21 ns
典型栅极电荷@Vgs17 nC V @ 10, 8 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds665 pF V @ 10
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SOIC N
尺寸5 x 4 x 1.55mm
引脚数目8
最低工作温度-50 °C
最大功率耗散2000 mW
最大栅源电压±12 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.058 Ω
最大连续漏极电流4 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置双、双漏极
长度5mm
高度1.55mm
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