型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
SI8816EDB-T2-E1 库存编号:SI8816EDB-T2-E1DKR-ND Vishay Siliconix ![]() ![]() 购买 查看资料 | 40753 1起订 6-10天 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥6.98 ¥4.8 ¥2.46 ¥2.42 ¥2.17 |
SI8816EDB-T2-E1 库存编号:SI8816EDB-T2-E1CT-ND Vishay Siliconix ![]() ![]() 购买 查看资料 | 40753 1起订 6-10天 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥6.98 ¥4.8 ¥2.46 ¥2.42 ¥2.17 |
SI8816EDB-T2-E1 库存编号:SI8816EDB-T2-E1TR-ND Vishay Siliconix ![]() ![]() 购买 查看资料 | 39000 3000起订 6-10天 | 3000+ 6000+ 9000+ 15000+ 21000+ 75000+ | ¥1.72 ¥1.58 ¥1.47 ¥1.46 ¥1.41 ¥1.36 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
SI8816EDB-T2-E1 库存编号:78-SI8816EDB-T2-E1 Vishay Intertechnologies ![]() ![]() 购买 | 4504 1起订 6-10天 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 3000+ 6000+ 9000+ | ¥6.5 ¥4.46 ¥2.29 ¥2.21 ¥1.93 ¥1.6 ¥1.47 ¥1.36 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
SI8816EDB-T2-E1 库存编号:SI8816EDB-T2-E1 Vishay Intertechnologies ![]() ![]() 询价 | 0 3000起订 1-2周 | 3000+ 6000+ 12000+ 18000+ 24000+ | ¥1.4 ¥1.38 ¥1.36 ¥1.34 ¥1.32 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
SI8816EDB-T2-E1 库存编号:SI8816EDB-T2-E1 Vishay Intertechnologies ![]() ![]() 询价 | 0 3000起订 1-3周 | 3000+ 6000+ 9000+ 15000+ 24000+ 30000+ | ¥1.61 ¥1.58 ¥1.56 ¥1.52 ¥1.49 ¥1.46 |
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SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() 查看资料 |
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SI8816EDB-T2-E1 Vishay Intertechnologies MOSFET 30V 109mOhm@10V 2.3A N-Ch RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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SI8816EDB-T2-E1 Vishay Intertechnologies N-Channel 30 V 0.109 Ohm 2.4 nC Power Mosfet RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
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SI8816EDB-T2-E1 Vishay Intertechnologies MOSFET 30V 109mOhm@10V 2.3A N-Ch RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free 搜索 ![]() ![]() |
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SI8816EDB-T2-E1 VISHAY SILICONIX ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT 详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot 型号:SI8816EDB-T2-E1 仓库库存编号:SI8816EDB-T2-E1CT-ND 别名:SI8816EDB-T2-E1CT <br> | 无铅 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
SI8816EDB-T2-E1![]() | 2364065 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 30 V, 0.087 ohm, 10 V, 600 mV ![]() |
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数据列表 | SI8816EDB |
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标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1.5A (Ta), 2.3A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 109 毫欧 @ 1A, 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 195pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | PowerPAK; SO-8 |
其它名称 | SI8816EDB-T2-E1TR |