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SI8424CDB-T1-E1|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI8424CDB-T1-E1
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CHAN 8V D-S MICROFOOT
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产品信息
数据列表 SI8424CDB
产品相片 4-UFBGA, WLCSP
特色产品 N-Channel 8 V (D-S) MOSFETs
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平栅极,1.2V 驱动
漏源极电压 (Vdss)8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.3A (Ta), 10A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)20 毫欧 @ 2A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)40nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2340pF @ 4V
功率 - 最大值1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳4-UFBGA,WLCSP
供应商器件封装4-Microfoot
其它名称SI8424CDB-T1-E1TR
SI8424CDBT1E1
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