您现在的位置:首页 > SI7970DP-T1-E3
无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: SI7970DP-T1-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 40V 10.2A 3.5W 19mohm @ 10V
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:40 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:6.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):19 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
封装:Reel
下降时间:50 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.4 W
上升时间:50 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:16 ns
零件号别名:SI7970DP-E3
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ:800152669  电话:400-900-3095