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参考价格及参考库存
美国2号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
| 型号/制造商 |
| SI7925DN-T1-GE3 Vishay Intertechnologies MOSFET 12V 6.5A 2.5W 42mohm @ 4.5V RoHS: Compliant 搜索 |
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| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| SI7925DN-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | 查看库存、价格及货期 | ||||
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| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual 型号：SI7925DN-T1-GE3 仓库库存编号：SI7925DN-T1-GE3-ND |  |
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 | SI7925DN-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8 查看详细 |
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制造商型号： SI7925DN-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8
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产品信息
| 数据列表 | SI7925DN |
|---|---|
| 产品相片 | PowerPak 1212-8 Dual |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4.8A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 42 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? 1212-8 Dual |
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