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SI7904DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI7904DN-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET DUAL N-CH D-S 20V 1212-8
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产品信息
数据列表 SI7904DN
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)30 毫欧 @ 7.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 935µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值1.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8 双
供应商器件封装PowerPAK? 1212-8 Dual
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