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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI7848DP
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N SO-8
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 10.4A
- 漏源电压, Vds: 40V
- 在电阻RDS（上）: 7.5mohm
- 电压 @ Rds测量: 4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
- 功耗, Pd: 1.83W
- 封装类型: SOIC
- 针脚数: 8
- 外宽: 6.2mm
- 外部深度: 5.26mm
- 外部长度/高度: 1.2mm
- 封装/箱盒: SOIC
- 栅极电荷 Qg N沟道: 28nC
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 热阻, 结点至外壳A: 2.2°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 40V
- 电压, Vgs 最高: 20V
- 电流, Idm 脉冲: 50A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 结温, Tj 最小值: -55°C
- 表面安装器件: SMD
- 通态电阻 @ Vgs = 10V: 7.5mohm
- 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 9.5mohm
- 通态电阻最大值: 9mohm
- 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
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