您现在的位置:首页 > SI7792DP-T1-GE3
SI7792DP-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: SI7792DP-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:60 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.7 mOhms
配置:Single
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
封装:Reel
下降时间:12 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :83 S
栅极电荷 Qg:90 nC
功率耗散:104 W
上升时间:13 ns
典型关闭延迟时间:40 ns
零件号别名:SI7792DP-GE3
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ:800152669  电话:400-900-3095