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SI7623DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号： SI7623DN-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET -20V 3.8mOhm@10V 35A P-Ch G-III
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 20 V
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:- 35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:3.8 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
封装:Reel
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :70 S
栅极电荷 Qg:55.5 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:52 W
系列:TrenchFET
商标名:P-Channel Gen III
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