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SI7530DP-T1-E3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI7530DP-T1-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC
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产品信息
数据列表 SI7530DP
产品相片 PowerPAK SO-8 Pkg
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3A,3.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)75 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值1.4W,1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商器件封装PowerPAK? SO-8
产品目录页面1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SI7530DP-T1-E3TR
SI7530DPT1E3
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