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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI7501DN-T1-E
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N/P沟道，30V，5.4A，PowerPAK，1212-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N/P沟道，30V，5.4A，PowerPAK，1212-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 20（N 通道）ns，25（P 通道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.5 nC @ 10 V（P 沟道），9 nC @ 10 V（N 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.05mm | |
| 封装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 尺寸 | 3.05 x 3.05 x 1.04mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1600 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20（N 通道）V，±25（P 通道）V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.035（N 通道）Ω，0.051（P 通道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 5.4 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 共四漏极、双 | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 高度 | 1.04mm |
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