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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI7456DP-TI-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N SO-8
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 5.7A
- 漏源电压, Vds: 100V
- 在电阻RDS（上）: 8.8ohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
- 功耗, Pd: 1.9W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: PowerPAK SO
- 针脚数: 8
- 功耗, Pd: 1.9W
- 功耗, Pd: 1.9W
- 器件标记: SI7456DP
- 外宽: 6.2mm
- 外部深度: 5.26mm
- 外部长度/高度: 1.2mm
- 封装/箱盒: SOIC
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 栅极电荷 Qg N沟道: 44nC
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 5.7A
- 热阻, 结点至外壳A: 1.8°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 100V
- 电压, Vgs 最高: 20V
- 电流, Idm 脉冲: 40A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 结温, Tj 最小值: -55°C
- 通态电阻最大值: 25mohm
- 阈值电压, Vgs th 最低: 2V
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