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SI7252DP-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号： SI7252DP-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:100 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:36.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:20 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
封装:Reel
下降时间:7 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :40 S
栅极电荷 Qg:17.5 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:46 W
上升时间:12 ns
商标名:ThunderFET / Med Voltage
典型关闭延迟时间:18 ns
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