数据列表 | SI7104DN |
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标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 12V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 26.1A (Ta), 35A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3.7 毫欧 @ 26.1A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 70nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2800pF @ 6V |
功率 - 最大值 | 52W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 |
供应商器件封装 | PowerPAK? 1212-8 |