您现在的位置:首页 > SI6966EDQ-T1-GE3
无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: SI6966EDQ-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
数据列表 SI6966EDQ
产品相片 8-TSSOP
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)-
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)30 毫欧 @ 5.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)600mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值-
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装8-TSSOP
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ:800152669  电话:400-900-3095