网站首页
创唯简介
品牌索引
联系我们
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存
50个仓库,1500万条库存数据任选
您现在的位置:
首页
>
SI6963BDQ-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
SI6963BDQ-T1-GE3
制造商:
VISHAY
描述:
双 P沟道 2.5 V (栅-源) 额定 MOSFET
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
Channel Type:
Dual P-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
20 V
Drain-Source On Resistance-Max:
0.045 Ω
Qg Gate Charge:
11 nC
Rated Power Dissipation:
0.83 W
询价
*所需产品:
型号: SI6963BDQ-T1-GE3 品牌: VISHAY 备注: 双 P沟道 2.5 V (栅-源) 额定 MOSFET
*联系人:
*联系电话:
*电子邮箱:
备注内容:
电脑版
Copyright(C)
m.szcwdz.com
创唯电子 版权所有
QQ:
800152669
电话:
400-900-3095