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SI6913DQ-T1-E3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI6913DQ-T1-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP
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产品信息
数据列表 SI6913DQ
产品相片 8-TSSOP
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)21 毫欧 @ 5.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)900mV @ 400µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)28nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值830mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装8-TSSOP
其它名称SI6913DQ-T1-E3TR
SI6913DQT1E3
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