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SI5915DC-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI5915DC-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
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产品信息
数据列表 SI5915DC
产品相片 Pkg 5547
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)70 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)450mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商器件封装1206-8 ChipFET?
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