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制造商型号： SI5519DU-T1-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20V 6.0A 10.4W
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:20 V
闸/源击穿电压:+/- 12 V
漏极连续电流:6 A, 4.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:-
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-8 ChipFET Dual
封装:Reel
下降时间:6 ns, 8.5 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:2.27 W
上升时间:15 ns, 11 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:22 ns, 25 ns
零件号别名:SI5519DU-E3
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