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制造商型号: SI5479DU-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET
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产品信息
数据列表 SI5479DU
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)10.3A (Ta), 16A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)21 毫欧 @ 6.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)51nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1810pF @ 6V
功率 - 最大值17.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? CHIPFET? 单
供应商器件封装PowerPAK? ChipFET 单通道
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