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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI5447DC
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET P 1206-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET P 1206-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET P 1206-8
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id 连续: 4.8A
- 漏源电压, Vds: 20V
- 在电阻RDS（上）: 160mohm
- 电压 @ Rds测量: -4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: -450mV
- 功耗, Pd: 1.3W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: 1206
- 针脚数: 8
- SMD标号: BG
- 封装/箱盒: 1206-8 ChipFET
- 封装类型, 其它: ChipFET
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 栅极电荷 Qg P沟道: 6.5nC
- 漏极电流, Id 最大值: -3.5A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: -4.5V
- 电压, Vds: 20V
- 电压, Vds 典型值: -20V
- 电压, Vgs 最高: -8V
- 电流, Idm 脉冲: 15A
- 通态电阻 @ Vgs = 1.8V: 160mohm
- 通态电阻 @ Vgs = 2.5V: 110mohm
- 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 76mohm
- 阈值电压, Vgs th 最高: -1.8V
询价